愛姆加公司經(jīng)過多年的研發(fā)及試驗(yàn),針對于方形基片及異形基片有自己的涂布方式,同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖:
同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖:同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖:同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖:同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖:同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖:同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖:同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖:同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖:同時(shí)旋涂后的均勻性指標(biāo)直徑在200mm范圍內(nèi)的晶片,均勻性指標(biāo)基本在2%之內(nèi),以下我公司針對異形基片涂布前的分析仿真圖: